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TVS Diode Arrays
Upstream USB Port Terminator with ESD Suppression & EMI Filtering
SPUSB1 Series
Absolute Maximum Ratings
Standard
Parameter
Supply Voltage V BUS
DC Power per Resistor
Package Power
Temperature Range:
Operating
Storage
Rating
5.5
100
200
-40 to +85
-65 to +150
Specifications
(at 25 ° C unless specified otherwise)
Unit
V
mW
mW
° C
Parameter
Resistance R1 (SPUSB1AJT only)
Resistance R1 (SPUSB1CJT only)
Resistance R1 (SPUSB1BJT only)
Resistance R2
Capacitance C1 @ 2.5 v DC, 1MHz
Diode Leakage at 3.3V
Diode Reverse Bias Stand-off Voltage, 1= 10 μ A
MIN
6%
26%
18%
1.2%
38%
5.5
TYP
12
33
22
1.5
47
1
MAX
14%
40%
26%
18%
56%
100
Unit
?
?
?
k ?
pF
nA
V
Signal Clamp Voltage:
Positive Clamp, 10mA
Negative Clamp, 10mA
5.6
-1.2
6.8
-0.8
8.0
-0.4
V
V
In-system ESD Withstand Voltage (1)
Human Body Model (MIL-STD-883D, method 3015
IEC 81000-4-2, contact discharge method (I/O pins)
IEC 81000-4-2, contact discharge method (V BUS pin)
± 30
± 15
± 25
kV
kV
kV
Clamping Voltage During ESD Discharge (1)
MIL-STD-883D (Method 3015), 8kV
Positive
Negative
10
-5
V
V
Note:
(1) ESD applied to input/outputV DD pins with respect to GND, one at a time.
Clamping Voltage is measured at the opposite side of the EMI filter to the ESD pin (ie: if ESD is applied to pin1 then clamping
voltage is measured at pin 6). Unused pins are open.
These parameters guaranteed by design.
APPLICATIONS INFORMATION
D+
1
R1
6
D+
D-
1
R1
6
D-
D1
D4
D1
D4
USB 1.1
C1
R2
USB 1.1
C1
R2
CONTROLLER
IC
GND
2
GND
5
VBUS
3.3V
USB 1.1
CONNECTOR
CONTROLLER
IC
GND
2
GND
5
VBUS
3.3V
USB 1.1
CONNECTOR
C1
C1
D-
3
D2
R1
4
D3
D-
D+
3
D2
R1
4
D3
D+
Figure 1. Full-Speed Devices (12Mbits per second)
For full speed operation the pull-up resistor R2 is connected to the D+ pin.
Figure 2. Low-Speed Devices (1.5Mbits per second)
Low speed connection requires the pull-up resistor R2 to be connected to the D-
pin. Please note the reversal of the D- and D+ pins on Figure 2 versus Figure 1.
218
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